Samsung on esitellyt maailman ohuimpia DRAM-muistipiirejä älypuhelimille. Yhtiö kertoo, että piirien massatuotanto aloitetaan lähiaikoina.
Samsungin mukaan 12 nanometrin viivanleveydellä valmistettaviin piireihin saadaan pakattua RAM-muistia 12 tai 16 gigatavun edestä. Samsungin mukaan uusi DRAM-siru on ainoastaan 0,65 mm paksu, joka mahdollistetaan PCB- ja EMC -tekniikoiden avulla.
Tekniikaltaan muisti on vanhaa tuttua LPDDR5X:ää, joita puhelimissa on nähty vuodesta 2022 alkaen.
Yhtiö kertoo käyttävänsä laajaa asiantuntemustaan sirujen pakkaamisesta, jolla mahdollistetaan uusien DRAM-muistien kehitys. Ohuempaan ja pienempään tilaan menevät sirut helpottavat yhtiön mukaan puhelinten ilmavirtausta samalla kun puhelimien sisuksiin saadaan luotua nykyistä enemmän tilaa.
Uusittu DRAM-muisti on 4-kerrosrakenteellinen kokonaisuus, jonka pitäisi vähentää piirin paksuutta 9 prosenttia aiempaan verrattuna. Myös lämmönkestävyyden kerrotaan olevan jopa 21,2% aiempaa parempi.
Samsung kertoo toimittavansa uusia DRAM-piirejä mobiilipiiri- sekä laitevalmistajille, jonka jälkeen yhtiö alkaa kehittämään samankaltaisia 6-kerroksisia 24 gigatavun DRAM-muistipiirejä yhdessä 8-kerrokisten piirien kanssa, jossa tilaa puolestaan olisi 32 gigatavua.
Lähde: Samsung
Lisää aiheesta:Samsung
Vuotaneet materiaalit paljastavat Samsung Galaxy A16 5G -puhelimen sekä hämmästyttävän päivityslupauksen
