Qualcomm on julkistanut tänään uuden Snapdragon 7+ Gen 3 -järjestelmäpiirin, joka on suorituskyvyltään parempi kuin aikaisempi Snapdragon 7 Gen 3. Qualcomm vie piirin lähemmäksi huipputason Snapdragon 8 -sarjaa.
Snapdragon 7+ Gen 3 on valmistettu 4 nanometrin prosessilla ja siinä on kahdeksan ydintä. Tehokkaimpana ytimenä toimii 2,8 GHz:n kellotaajuudella toimiva Cortex-X4, jonka rinnalla on neljä 2,6 GHz:n Cortex-A720 ydintä sekä kolme 1,9 GHz:n Cortex-A520-ydintä.
Qualcommin mukaan suorituskykyä on saatu 15 prosenttia enemmän ja myös graafinen suorituskyky on päivitetyn Adreno 732 -prosessorin avulla kasvanut 45 prosentilla, joiden lisäksi virrankulutus on vähentynyt 5 prosentilla.
Piiriin on laitettu Snapdragon X63 5G -modeemi, jossa on FastConnect 7800 -järjestelmä ja tuli 3GPP Release 17 -5G-standardille. Latausnopeudet 5G-verkoissa on jopa 4,2 Gbps. Qualcomm on saanut järjestelmäpiiriin tuen näytöille aina 4K-tarkkuuteen asti 60 hertsillä ja QHD+ -tarkkuuteen 120 hertsillä.
Mukana on tuki LPDDR5X-RAM-muistille aina 24 gigatavuun asti ja Qualcomm lupaa tuettuna olevan myös UFS 4.0 -tallennustila.
Snapdragon 7+ Gen 3 on ensimmäinen 7-sarjan piiri, jossa on sisäänrakennettuna tuki tekoälyominaisuuksilla, ja se tukee laajaa valikoimaa suuria kielimalleja. Vastaavia ominaisuuksia on nähty toistaiseksi vain Snapdragon 8 -sarjan piireissä.
Ensimmäisenä Snapdragon 7+ Gen 3 -järjestelmäpiiri tullaan näkemään OnePlussan, Realmen ja Sharpin laitteissa tulevina viikkoina.
Lähde: Qualcomm
Lisää aiheesta:Qualcomm
Qualcomm valmistelee 6-ytimisen Snapdragon X -järjestelmäpiirin julkaisua
