Qualcomm on julkistanut uuden alemman keskihintaluokan laitteille suunnatun Snapdragon 7s Gen 3 -järjestelmäpiirin. Qualcomm lupaa piirin parantavan merkittävästi tekoälyn laskentatehoa. Piiriin perustuvia puhelimia tullaan näkemään Samsungilta, Realmelta, Sharpilta ja Xiaomilta lähiaikoina.
Snapdragon 7s Gen 3 on valmistettu 4 nanometrin prosessilla ja se on karsitumpi versio Snapdragon 7 Gen 3 -piiristä. Piirin suorituskyvyn pitäisi olla 20 prosenttia parempi ja grafiikkaprosessori peräti 40 prosenttia parempi kuin Snapdragon 7s Gen 2 -piirissä. Lisäksi tekoälysuorituskyky on 30 prosenttia parempi.
Qualcomm hyödyntää piirissä yhtä tehokkaampaa Kryo-ydintä, joka toimii 2,5 GHz:n kellotaajuudella ja kolme muuta toimivat 2,8 GHz:n kellotaajuudella. Neljä niin sanottua energiatehokkaampaa ydintä toimivat 1,8 GHz:n kellotaajuudella. Snapdragon 7s Gen 3 tukee RAM-muistia 16 gigatavuun asti ja tuettuna on myös UFS 3.1 -tallennustila.
Piirissä on tuki laitteessa tapahtuvalle tekoälylle AI Enginen avulla. Snapdragon 7s Gen 3 tukee myös tekoälypohjaista melunvaimennusta ja melunvähennystä, lisäksi tuettuna on 200 megapikselin kuvaus ja 4K HDR -videoiden tallennus. Spectra Triple ISP mahdollistaa samanaikaisen valokuva- ja videokuvauksen erittäin nopeamman rinnakkaisella käsittelyllä ja sujuvalla zoomauksella.
Snapdragon 7s Gen 3 tukee näyttöjä Full HD+ -tarkkuudella ja 144 hertsin virkistystaajuudella. Lisäksi pelaajia ajatellen järjestelmäpiirissä on teknologiat kuten Adaptive Performance Engine 3.0, Variable Rate Shading, Adreno HDR Fast Blend ja tuki Vulkan 1.3 -rajapinnalle.
Yhteyksien osalta tuettuna on 5G-yhteydet, Wi-Fi 6E, Bluetooth 5.4, GPS, Glonass, BeiDou, Galileo ja QZSS.
Lähde: Qualcomm
Lisää aiheesta:Qualcomm
Qualcomm julkisti Snapdragon 6 Gen 3 -järjestelmäpiirin – Vain pieniä muutoksia Snapdragon 7s Gen 2 -piiriin
