Puolijohdevalmistaja TSMC kertoi tulevaisuuden piirisuunnitelmistaan

Taiwanilainen puolijohdevalmistaja TSMC on tiedottanut aikatauluistaan 3 ja 2 nanometrin prosessien massatuotannon suhteen. TSMC kertoo, että FinFlex N3 -teknologiaa käyttävä 3 nanometrin piiri saadaan massatuotantoon kuluvan vuoden aikana.

2 nanometrin valmistusprosessia käyttävä teknologia on TSMC:n mukaan tarkoitus saada massatuotantoon vuonna 2025. TSMC:n 2 nanometrin tekniikka edustaa merkittävää kehitystä 3 nanometrin tekniikkaan, sillä siinä on 10-15 prosenttia parempi suorituskyky samalla virrankulutuksella, tai 25-30 prosenttia pienempi virrankulutus samalla nopeudella.

TSMC esitteli N3-piiristä 3 erilaista varustelua, joista valmistajat voivat valita itselleen sopivimman konfiguraation. Ideana on, että valmistajille annetaan joustavasti erilaisia vaihtoehtoja, joita voidaan käyttää samassa sirussa.

Erivaihtoehtojen mahdollistamat ominaisuudet ovat seuraavanlaiset:

3-2 FIN mahdollistaa parhaan suorituskyvyn tiheyden kustannuksella, 2-2 FIN puolestaan on hyvin tasapainoinen kokonaisuus tarjoten 3-2 FIN varustelua heikomman suorituskyvyn, mutta paremman tiheyden ja teho-hyötysuhteen, 2-1 FIN tarkoituksena on, että tiheys on korkea mutta virrankulutus pientä.

Aikaisemmin myös Samsung on ilmoittanut aloittavansa 3 nanometrin prosessiin perustuvien sirujen massatuotannon vielä vuoden 2022 aikana, mutta aloittaa myös 2 nanometrin sirujen tuotannon TSMC:n kanssa samaan aikaan vuonna 2025.

Lähteet: TSMC blog, TSMC press center