Qualcommilta syksyllä tuleva Snapdragon 8 Gen 4 -järjestelmäpiiri on vuotanut Geekbench 6 -suorituskykytestin kautta. Kuva testituloksesta on ladattu kiinalaiselle Weibo-alustalle Digital Chat Stationin toimesta.
Testisovelluksen mukaan yhden ytimen testistä piiri on saanut 2 884 pistettä, joka on jopa 35 prosenttia paremmin kuin Qualcommin Snapdragon 8 Gen 3 -suorittimen saamat pisteet keskimäärin. Kaikkien ydinten osalta piiri on saanut testistä 8840 pistettä, joka on noin 30 prosenttia paremmin kuin Snapdragon 8 Gen 3 -suorittimella.
Koska kyse on tässä vaiheessa vielä aikaisista testiohjelmistolla ajetuista tuloksista on hyvinkin mahdollista, että lopullisessa tuotteessa on nyt nähtyjä lukuja parempia numeroita. Valtavasti itse käytännön suorituskykyyn numeroilla ei siinä vaiheessa kuitenkaan ole vaikutusta.
Testiohjelma paljastaa myös tietoja ydinten määrästä ja kellotaajuuksista. Piiri koostuisi tänä vuonna yhteensä 8-ytimestä. Mukana on kaksi suorituskykyistä ydintä, jotka yltävät 4,09 gigahertsin kellotaajuuteen ja kuusi vähävirtaisempaa ydintä, jotka yltäisivät 2,78 gigahertsin kellotaajuuteen.
Järjestelmäpiirissä on mukana Adreno 830 -grafiikkasuoritin ja piiri on valmistettu TSMC:n kolmen nanometrin viivanleveydellä. Piirin julkaisua voidaan odottaa lokakuulle 2024.
Lähde: Weibo (kiinaksi)
Lisää aiheesta:Qualcomm
Qualcomm julkisti Snapdragon 8 Elite -järjestelmäpiirin huipputason älypuhelimille – Massiivinen parannus suorituskykyyn Oryon-ytimien ansiosta
